報(bào)告題目：固/液界面下的靜電效應(yīng)：適用于形成高縱橫比硅微結(jié)構(gòu)和實(shí)驗(yàn)芯片
（Electrostatic effects at solid/liquid interfaces：Application to the formation of high aspect ratio silicon microstructures and Lab-on-the-Chip）
報(bào)告人：Associate Professor Pascal KLEIMANN
講座時(shí)間：2017年9月13日（星期三）上午10:30-12:00
講座地點(diǎn)：航空樓B410機(jī)電學(xué)院第一會(huì)議室
邀請(qǐng)人：何洋副教授 苑曦宸助理教授
承辦學(xué)院：機(jī)電學(xué)院
聯(lián)系人：盧宇超
聯(lián)系電話(huà)：18829041036
報(bào)告簡(jiǎn)介：
Electrostatic effects at interfaces are fundamentals in physics and are the source of numerous famous applications (photovoltaic cells, MOS transistors...). After a presentation of the distribution of electrical charges at interfaces, their properties and the key point of polarization, a special attention will be paid to the case of solid/liquid interfaces which are widely encountered in the field of microfluidics and Lap-On-a-Chip. We will show that electrostatic effects can be wisely used to sort, to detect, or to concentrate biomolecules. They can also be used to form high aspect ratio silicon submicrometer structures and membranes.
報(bào)告人簡(jiǎn)介：
Pascal KLEIMANN 1992年畢業(yè)于法國(guó)里昂高等化學(xué)、物理及電子學(xué)校（CPE Lyon）的電子與信息處理學(xué)科的微電子專(zhuān)業(yè)，獲得工程師文憑。于1993年至1997年在里昂國(guó)立應(yīng)用科學(xué)學(xué)院（INSA Lyon）的LPM研究所攻讀博士學(xué)位，期間作為主要參與人之一，參與從事“硼摻雜LPCVD多晶硅薄膜的高溫壓阻特性的重新評(píng)估”的基礎(chǔ)研究工作。于1997年至1998年在瑞士KTH大學(xué)的電子學(xué)院攻讀博士后，并于1998年回到法國(guó)里昂第一大學(xué)擔(dān)任講師。Pascal KLEIMANN現(xiàn)階段主要從事通過(guò)光電化學(xué)蝕刻微硅和納米結(jié)構(gòu)硅、納米流體晶體管和微納流體系統(tǒng)應(yīng)用于健康領(lǐng)域的研究與設(shè)計(jì)等3個(gè)方面的研究。
